問(wèn)答題刻蝕的目的是什么?
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5.問(wèn)答題使用什么材料制作投影掩膜板,投影掩膜板上形成圖形的不透明材料是什么?
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光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
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濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
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常壓的硅外延方法有()。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
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硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
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摻雜后退火時(shí)間一般在()。
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
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互連工藝中AL的制備可選用()。
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光刻工藝的設(shè)備核心是()。
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封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
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