刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。