判斷題三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題芯片粘接的工藝過程包括（）。
A.銀漿固化
B.點(diǎn)銀漿
C.烘烤
D.芯片粘接
2.多項(xiàng)選擇題影響封裝芯片特性的溫度有（）。
A.熱敏感度
B.物理的脆弱度
C.熱的產(chǎn)生
D.集成度
3.單項(xiàng)選擇題下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
A.一光檢查
B.三光檢查
C.二光檢查
D.四光檢查
4.單項(xiàng)選擇題封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
5.多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用（）。
A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD
最新試題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題