多項(xiàng)選擇題常壓的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法
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1.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
2.單項(xiàng)選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
3.單項(xiàng)選擇題摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
5.多項(xiàng)選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
最新試題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題