單項(xiàng)選擇題摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
2.多項(xiàng)選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
3.多項(xiàng)選擇題鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
4.多項(xiàng)選擇題消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進(jìn)行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
5.單項(xiàng)選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
最新試題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題