單項(xiàng)選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
2.單項(xiàng)選擇題下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
3.單項(xiàng)選擇題如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌
4.單項(xiàng)選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
5.單項(xiàng)選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
最新試題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題