多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用()。
A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題金屬化中可選用的金屬材料有()。
A.銀
B.金
C.鋁
D.銅
2.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
A.銅
B.鋁
C.鎢
D.金
3.單項(xiàng)選擇題化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料
4.多項(xiàng)選擇題CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
A.臺(tái)板
B.拋光液
C.拋光墊
D.夾持設(shè)備
5.多項(xiàng)選擇題新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
A.固結(jié)磨料CMP技術(shù)
B.無(wú)磨粒CMP技術(shù)
C.無(wú)應(yīng)力拋光技術(shù)
D.電化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)
最新試題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型:判斷題