單項(xiàng)選擇題如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
A.化學(xué)物質(zhì)
B.金屬離子
C.融解的氧氣
D.細(xì)菌
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1.單項(xiàng)選擇題目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術(shù)
D.以上都是
2.單項(xiàng)選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
3.多項(xiàng)選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
4.單項(xiàng)選擇題厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
A.有機(jī)物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
5.單項(xiàng)選擇題典型的薄膜生長(zhǎng)工藝一般采用物理氣相淀積法進(jìn)行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學(xué)鍍
D.電鍍
最新試題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題