多項(xiàng)選擇題影響封裝芯片特性的溫度有（）。
A.熱敏感度
B.物理的脆弱度
C.熱的產(chǎn)生
D.集成度
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1.單項(xiàng)選擇題下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
A.一光檢查
B.三光檢查
C.二光檢查
D.四光檢查
2.單項(xiàng)選擇題封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
3.多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用（）。
A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD
4.多項(xiàng)選擇題金屬化中可選用的金屬材料有（）。
A.銀
B.金
C.鋁
D.銅
5.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
A.銅
B.鋁
C.鎢
D.金
最新試題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題