封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）