常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。