濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。