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問答題
【簡答題】解釋曝光后烘烤的目的。PEB(曝光后烘烤)烘烤過度和不足會產(chǎn)生什么問題?
答案:
目的:降低駐波效應(yīng)
不足:無法消除駐波效應(yīng),影響分辨率。
過度:造成光刻膠的聚合作用,影響顯影過程,導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移失敗。
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問答題
【簡答題】軟烘烤的目的是什么?列出烘烤過度和不足會產(chǎn)生什么后果?
答案:
目的:將光刻膠從液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài),增強光刻膠在晶體表面的附著力。
使光刻膠含有5%-20%的殘余溶劑。
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【簡答題】簡述光刻工藝的8道工序
答案:
八道工序為:晶圓清洗、預(yù)烘培和底漆涂敷、光刻膠自旋涂敷、軟烘烤、對準(zhǔn)和曝光、曝光后烘烤,以及顯影、硬烘烤和圖形檢測
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【簡答題】列出4種曝光技術(shù),并說明那種分辨率最高,說明各種曝光技術(shù)的優(yōu)缺點。
答案:
1、接觸式曝光:分辨率較高,可在亞微米范圍內(nèi)。接觸時的微粒會在晶圓上產(chǎn)生缺陷,光刻版的壽命也會減短。
2、接近...
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【簡答題】簡述顯影工藝的3個過程
答案:
顯影、硬烘烤和圖形檢測
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【簡答題】簡述光刻工藝3個主要過程
答案:
光刻膠涂敷、曝光和顯影
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【簡答題】列出光刻膠的四種成分
答案:
聚合物、感光劑、溶劑和添加劑
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名詞解釋
合金化熱處理
答案:
利用熱能使不同原子彼此結(jié)合成化學(xué)鍵而形成金屬合金的一種加熱工藝。
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名詞解釋
RTP
答案:
快速加熱工藝。是一種升溫速度非??斓?,保溫時間很短的熱處理方式。
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名詞解釋
結(jié)深
答案:
如果擴散雜質(zhì)與硅襯底原有雜質(zhì)的導(dǎo)電類型不同,在兩種雜質(zhì)濃度的相等處會形成PN結(jié),此深度為結(jié)深。
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問答題
【簡答題】SiO
2
-Si界面中存在幾種電荷?對器件性能有哪些影響?工藝上如何降低它們的密度?
答案:
有5種。Li RB
+
Cs
+
&e...
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