互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。