進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）