A.加荷時應勻速施加水平荷載,并應控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當試件沿受剪面滑動、千斤頂開始卸荷時,應判定試件達到破壞狀態(tài)
C.應記錄破壞荷載值,并應結束測試
D.應在預定剪切面(灰縫)破壞,測試有效
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A.燒結普通磚
B.燒結空心磚
C.燒結多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
A.500mm
B.800mm
C.1000mm
D.1100mm
E.1300mm
A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結法
A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列是晶體的是()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。