A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
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A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)；
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對，產(chǎn)生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡；
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散，p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散；若p-n結(jié)開路，在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對，產(chǎn)生開路電壓。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
A、低于
B、等于或大于
C、大于
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
可用作硅片的研磨材料是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法