單項選擇題雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
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1.單項選擇題如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復合中心
2.單項選擇題與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
A、比半導體的大
B、比半導體的小
C、與半導體的相等
3.單項選擇題表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
4.單項選擇題最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei
5.單項選擇題載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
A、漂移
B、隧道
C、擴散
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題