單項選擇題影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
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1.單項選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
A.減小,減小
B.減小,增大
C.增大,增大
D.增大,減小
2.單項選擇題下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
A.漂移遷移率
B.電導遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
3.單項選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向()
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
4.單項選擇題PN結(jié)的基本特性是()
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導性
C.電流放大性
D.絕緣性
5.單項選擇題光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題