單項選擇題下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
A.漂移遷移率
B.電導遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
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1.單項選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向（）
A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）
2.單項選擇題PN結的基本特性是（）
A.單向導電性
B.半導性
C.電流放大性
D.絕緣性
3.單項選擇題光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
A.光子效應
B.霍爾效應
C.熱電效應
D.壓電效應
4.單項選擇題在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）
A.光電效應
B.光生伏特效應
C.內光電效應
D.外光電效應
5.單項選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）
A.機械拋光法
B.化學拋光法
C.手工拋光法
D.機械--化學拋光法
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題