A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
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A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)
A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進(jìn)入
A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過(guò)渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
最新試題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
下列是晶體的是()。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。