多項選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
A.鈍化晶界
B.鈍化錯位
C.鈍化電活性雜質
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1.單項選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應引入的氧
D.外界空氣的進入
2.單項選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
A.氧及其相關缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質
D.材料中的缺陷密度及其分布
3.單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括（）
A.高能耗
B.成本低
C.產量高
D.質量穩(wěn)定
4.單項選擇題多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
5.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
A、6
B、2
C、4
D、5
最新試題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題