單項(xiàng)選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

A、1234
B、123
C、2457
D、4567


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1.單項(xiàng)選擇題直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

A、6
B、2
C、4
D、5

2.單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝

3.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

A、加料—縮頸生長(zhǎng)—熔化—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
B、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
C、加料—熔化—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—縮頸生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
D、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)

4.單項(xiàng)選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于

5.單項(xiàng)選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯(cuò)
B、層錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯(cuò)