單項選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
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1.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
2.單項選擇題簡述光生伏特效應中正確的是()
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結;
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對,產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴散,p區(qū)電子向n區(qū)擴散;若p-n結開路,在結的兩邊積累電子—空穴對,產(chǎn)生開路電壓。
3.單項選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm,則(111)的面間距是多少?()
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
4.單項選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
5.單項選擇題半導體材料的電阻率與載流子濃度有關,同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電阻率()
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
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對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
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