單項選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm，則（111）的面間距是多少？（）
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
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1.單項選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
2.單項選擇題半導體材料的電阻率與載流子濃度有關，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電阻率（）
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
3.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
4.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
5.單項選擇題正確的框圖簡要說明硅片制備主要工藝流程是（）
A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測→切片→晶片研磨及磨邊→打包