A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)
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A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
A.加料--熔化--縮頸生長--等徑生長--放肩生長--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長--放肩生長--等徑生長--收尾
C.加料--熔化--等徑生長-放肩生長--縮頸生長--收尾
D.加料--熔化--等徑生長長--縮頸生長--放肩生長--收尾
A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列是晶體的是()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。