雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

下列是晶體的是（）。 

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污；⑤加入雜質量；

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。