單項選擇題下列是晶體的是（）。
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
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1.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
A.線缺陷
B.面缺陷
C.點缺陷
D.體缺陷
2.單項選擇題對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數，它與（）。
A.非平衡載流子濃度成正比；
B.平衡載流子濃度成正比；
C.非平衡載流子濃度成反比；
D.平衡載流子濃度成反比。
3.單項選擇題在通常情況下，GaN呈（）型結構。
A.纖鋅礦型；
B.閃鋅礦型；
C.六方對稱性；
D.立方對稱性
4.單項選擇題如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
A.施主
B.受主
C.復合中心
D.兩性雜質
5.單項選擇題雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題