A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
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A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
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A、3
B、5
C、4
D、2
A、1234
B、123
C、1456
D、4567
A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
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C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長
A.調整晶體生長的熱系統(tǒng),使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調節(jié)拉晶的運行參數(shù),例如對于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結晶潛熱使界面趨于平坦
C.調整晶體或者坩堝的轉速,調整高溫液流的增減
D.增大坩堝內徑與晶體直徑的比值
最新試題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
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