單項選擇題簡述光生伏特效應中正確的是()
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié);
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對,產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴散,p區(qū)電子向n區(qū)擴散;若p-n結(jié)開路,在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對,產(chǎn)生開路電壓。
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1.單項選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm,則(111)的面間距是多少?()
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
2.單項選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
3.單項選擇題半導體材料的電阻率與載流子濃度有關(guān),同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電阻率()
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
4.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
5.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
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