A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
A.窗洞口
B.后砌窗下墻處
C.其他洞口下三皮磚
D.離樓面層近
A.試件運至試驗室后,應將試件上下表面大致修理平整
B.應在預先找平的鋼墊上坐漿,然后應將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應用1:3水泥砂漿找平
D.試件頂面應用1:1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時,應在寬側面上粘貼安裝百分表的表座
A.抗震設防
B.加強房屋結構延性
C.加強房屋耐久性
D.加強房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
A.應在槽間砌體兩側各粘貼一對變形測量腳標,腳標應位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔4條水平灰縫,宜取250mm
C、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫,宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫,宜取270mm~300mm
E、測試前應記錄標距值,并應精確至0.1mm
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
改良西門子法的顯著特點不包括()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()