A.手動油壓千斤頂
B.荷載傳感器
C.螺旋千斤頂
D.數(shù)字荷載表
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.摻鹽砂漿法
B.加熱法
C.紅外線法
D.暖棚法
E.凍結(jié)法
A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載
A.窗洞口
B.后砌窗下墻處
C.其他洞口下三皮磚
D.離樓面層近
A.試件運至試驗室后,應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿,然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1:3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1:1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時,應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座
A.抗震設(shè)防
B.加強(qiáng)房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強(qiáng)房屋耐久性
D.加強(qiáng)房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列是晶體的是()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。