多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼靜力受壓彈性模量標準試件。
A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×600mm立方體
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1.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼軸心抗壓強度標準試件。
A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、100×100×100mm立方體
D、Φ150×300mm圓柱體
2.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼劈裂抗拉強度標準試件。
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、150×150×300mm棱柱體
D、Φ150×300mm圓柱體
3.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼抗壓強度標準試件。
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
4.多項選擇題制作砼抗壓強度同組試件的砼拌合物應從()砼中取樣。
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
5.多項選擇題以下()選項性能參數是表征普通砼力學方面的性能參數。
A、抗壓強度
B、抗折強度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題