A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、150×150×300mm棱柱體
D、Φ150×300mm圓柱體
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D、150×150×300mm棱柱體
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
A、抗壓強度
B、抗折強度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
A、規(guī)范砼試驗方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗方法
C、統(tǒng)一砼力學性能試驗方法
D、提高砼試驗精度和試驗水平
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細骨料修正系數(shù)(0.16mm以下粉料修正)測定
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
PN結的基本特性是()
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法