多項選擇題以下()選項性能參數(shù)是表征普通砼力學方面的性能參數(shù)。
A、抗壓強度
B、抗折強度
C、抗?jié)B等級
D、靜力受壓彈性模量
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1.多項選擇題制訂《普通砼力學性能試驗方法標準》標準的目的包括()。
A、規(guī)范砼試驗方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗方法
C、統(tǒng)一砼力學性能試驗方法
D、提高砼試驗精度和試驗水平
2.多項選擇題以下試驗工序是水洗分析法砼配合比分析試驗的有()。
A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細骨料修正系數(shù)(0.16mm以下粉料修正)測定
3.多項選擇題水洗分析法砼配合比分析試驗常用儀器設備有()。
A、孔徑為5mm和0.16mm的標準篩
B、振動臺
C、臺秤
D、分光光度計
4.多項選擇題水洗分析法砼配合比分析試驗不適用于以下()砼的試驗。
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動大的
C、強度等級高的
D、特細砂配制的
5.多項選擇題水洗分析法砼配合比分析試驗可測試分析拌合物中()組分的含量。
A、水泥/或膠凝材料
B、砼外加劑
C、砂、石骨料
D、水
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題