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最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）