CMP的設備構成包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。