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過刻蝕
答案:
刻蝕薄膜時,晶圓內(nèi)的刻蝕速率和薄膜厚度并不完全均勻,主刻蝕后,會有少部分的薄膜留下,移除剩余薄膜的過程稱為過刻蝕。
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負載效應
答案:
等離子體圖形化刻蝕過程中,刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓。
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問答題
【簡答題】簡述IC芯片工藝過程中包括的刻蝕工藝過程
答案:
(1)圖形化和整面全*區(qū)刻蝕。
(2)單晶硅刻蝕用于淺槽隔離。
(3)多晶硅刻蝕用于界定柵和局部互連...
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