名詞解釋負(fù)載效應(yīng)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問答題簡述IC芯片工藝過程中包括的刻蝕工藝過程
2.名詞解釋通道效應(yīng)
3.問答題簡述離子注入設(shè)備的主要組成部分
5.問答題離子注入后為什么要進(jìn)行熱退火
最新試題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題