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問答題

【簡答題】熱生長氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么？

答案：生長的薄膜與消耗的硅襯底，淀積的薄膜不消耗硅襯底。熱生長的二氧化硅來自氣相氧，硅來自襯底，當(dāng)薄膜生長進(jìn)入襯底時(shí)，這個(gè)過程...

你可能感興趣的試題

問答題
【簡答題】半導(dǎo)體工藝中常用的三種CVD反應(yīng)器類型
答案：APCVD：常壓化學(xué)氣相淀積
LPCVD: 低壓化學(xué)氣相淀積 &e...
名詞解釋
過刻蝕
答案：刻蝕薄膜時(shí)，晶圓內(nèi)的刻蝕速率和薄膜厚度并不完全均勻，主刻蝕后，會(huì)有少部分的薄膜留下，移除剩余薄膜的過程稱為過刻蝕。
名詞解釋
負(fù)載效應(yīng)
答案：等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓。
問答題
【簡答題】簡述IC芯片工藝過程中包括的刻蝕工藝過程
答案：（1）圖形化和整面全*區(qū)刻蝕。
（2）單晶硅刻蝕用于淺槽隔離。
（3）多晶硅刻蝕用于界定柵和局部互連...
名詞解釋
通道效應(yīng)
答案：如果一個(gè)電子以正確的角度進(jìn)入通道，它只需要很少的能量就可以行進(jìn)很長的距離。
問答題
【簡答題】簡述離子注入設(shè)備的主要組成部分
答案：氣體系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、射線系統(tǒng)、電荷中性化系統(tǒng)、晶圓處理系統(tǒng)
問答題
【簡答題】簡述離子注入工藝在元器件中的應(yīng)用
答案：（1）阱區(qū)注入。
（2）對(duì)重度阱區(qū)注入，抑制結(jié)擊穿效應(yīng)。
（3）調(diào)整閾值電壓。
（4）多晶...
問答題
【簡答題】離子注入后為什么要進(jìn)行熱退火
答案：離子注入的過程中，離子與晶格原子碰撞會(huì)使原子從晶格的束縛能中釋放出來。熱退火可以修復(fù)單晶結(jié)構(gòu)并激活摻雜物。
問答題
【簡答題】簡述離子注入的通道效應(yīng)和減小通道效應(yīng)的方法
答案：通道效應(yīng)：如果一個(gè)電子以正確的角度進(jìn)入通道，它只需要很少的能量就可以行進(jìn)很長的距離。
方法：
（1）...
填空題
離子注入的兩種阻滯機(jī)制：（）
答案：原子核阻滯和電子阻滯

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【簡答題】熱生長氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么？

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【簡答題】簡述離子注入的通道效應(yīng)和減小通道效應(yīng)的方法

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【簡答題】熱生長氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么？

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離子注入的兩種阻滯機(jī)制：（）

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