摻雜后，退火的目的是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。