硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。