影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝的特點包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）