下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。