影響封裝芯片特性的溫度有（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

常壓的硅外延方法有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）