IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。