問答題

【簡答題】沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個(gè)原因。

答案：采用LPCVD工具；
1.通過摻雜可得到特定的電阻；
2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；
3....

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【簡答題】解釋APCVD，使用APCVD SiO₂的主要問題是什么，是用硅烷作為反應(yīng)源嗎？

答案：常壓化學(xué)氣相淀積；傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質(zhì)（ILD），保護(hù)覆蓋物或者表面平坦化；不是使用硅烷作為反應(yīng)源。

【簡答題】列出沉積的5種主要技術(shù)。

答案：

化學(xué)氣相淀積（cvd）
電鍍
物理氣相淀積（pvd或?yàn)R射）
蒸發(fā)
旋涂方法