問答題簡(jiǎn)述1990年代CMOS工藝技術(shù)特征:特征尺寸、晶圓尺寸、襯底、隔離、源漏、柵極材料、光刻光源、曝光方式(光刻機(jī))、刻蝕、互連材料及方式等。
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CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
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互連工藝中AL的制備可選用()。
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摻雜后退火時(shí)間一般在()。
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常壓的硅外延方法有()。
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厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題