注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。