目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

CMP的設備構成包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）